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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Infineon CoolMOS CE IPA50R280CEXKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 13 A 30,4 W, 3-Pin TO-220

About The : -30 V, +30 V, Länge: 10.65mm, Betriebstemperatur max

Infineon CoolMOS CE IPA50R280CEXKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 13 A 30,4 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 280 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.65mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Infineon CoolMOS CE IPA50R280CEXKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 13 A 30,4 W, 3-Pin TO-220

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Specifications of Infineon CoolMOS CE IPA50R280CEXKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 13 A 30,4 W, 3-Pin TO-220

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Infineon CoolMOS CE IPA50R280CEXKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 13 A 30,4 W, 3-Pin TO-220
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Vikan 165mm Bürste mit Polyester-Borsten Handbürste, Mittelhart Rot, Borsten L.
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    • Vikan Besen mit Mittelharten Weiß, für trockene und feuchte Bereiche

    Vikan Besen mit Mittelharten Weiß, für trockene und feuchte Bereiche

    Vikan Besen mit Mittelharten Weiß, für trockene und feuchte Bereiche, Breite: 610mm, Anwendung: Trockene Bereiche, feuchte Bereiche, Tiefe: 70mm, Borstenlänge: 60mm, MPN: 31945.

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    • Vikan Rot Polyester Flaschenbürste, Ø 20mm L.

    Vikan Rot Polyester Flaschenbürste, Ø 20mm L.

    200mm.200mm, MPN: 53654 Vikan Rot Polyester Flaschenbürste, Ø 20mm L.

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    Vikan 360mm Bürste mit Polyester-Borsten Rohr-Außenbürste, Mittelhart Schwarz Ja für Industrielle Reinigung

    Vikan 360mm Bürste mit Polyester-Borsten Rohr-Außenbürste, Mittelhart Schwarz Ja für Industrielle Reinigung, Produkttiefe: 200mm, MPN: 53729.

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    Vikan 360mm Bürste mit Polyester-Borsten Rohr-Außenbürste, Mittelhart Blau Ja für Industrielle Reinigung, Produkttiefe: 200mm, MPN: 53723.

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    : -30 V, +30 V, Länge: 10.65mm, Betriebstemperatur max.Infineon CoolMOS CE IPA50R280CEXKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 13 A 30,4 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: +150 °C.

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    65mm, Betriebstemperatur max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.: 280 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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