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Vishay SiSS05DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 108 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

About The : +150 °C.: 5,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay SiSS05DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 108 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S, Drain-Source-Widerstand max.: 5,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +16 V, Länge: 3.3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Specifications of Vishay SiSS05DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 108 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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