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STMicroelectronics STD13N60DM2 N-Kanal, SMD MOSFET / 11 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 360 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

STMicroelectronics STD13N60DM2 N-Kanal, SMD MOSFET / 11 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 360 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±25 V, Länge: 6.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Specifications of STMicroelectronics STD13N60DM2 N-Kanal, SMD MOSFET / 11 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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STMicroelectronics STD13N60DM2 N-Kanal, SMD MOSFET / 11 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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