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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
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Vishay TrenchFET® Gen IV SiSS22LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 92,5 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

About The : 2.: 0,0051 Ω, 0,00365 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay TrenchFET® Gen IV SiSS22LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 92,5 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0051 Ω, 0,00365 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V

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Vishay TrenchFET® Gen IV SiSS22LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 92,5 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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Specifications of Vishay TrenchFET® Gen IV SiSS22LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 92,5 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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Crucial P3, M.2 (2280) Intern SSD NVMe PCIe Gen 3 x 4, 3D TLC, 500 GB, SSD

Crucial P3, M.2 (2280) Intern SSD NVMe PCIe Gen 3 x 4, 3D TLC, 500 GB, SSD

2 (2280) Intern SSD NVMe PCIe Gen 3 x 4, 3D TLC, 500 GB, SSD, Industrieausführung: Nein, MPN: CT500P3SSD8.

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    • Murata, GJM, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G, 3.3pF ±0.1pF / 50V dc, Gehäuse 0402 (1005M)

    Murata, GJM, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G, 3.3pF ±0.1pF / 50V dc, Gehäuse 0402 (1005M)

    1pF / 50V dc, Gehäuse 0402 (1005M), Spannung: 50V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 1 x 0.

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  • Keramik Vielschichtkondensatoren
  • Murata
    • RS PRO, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 330nF ±20% / 50V dc, Ø 4mm x 7mm x 7mm, bis 105°C

    RS PRO, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 330nF ±20% / 50V dc, Ø 4mm x 7mm x 7mm, bis 105°C

    RS PRO, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 330nF ±20% / 50V dc, Ø 4mm x 7mm x 7mm, bis 105°C, Spannung: 50V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 4 (Dia.: +105°C, Anschlussraster: 1.5mm, Lebensdauer: 1000h, Leckstrom: .

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  • RS PRO
    • SMC CU Pneumatikzylinder doppeltwirkend, Bohrung Ø 20mm / Hub 15mm

    SMC CU Pneumatikzylinder doppeltwirkend, Bohrung Ø 20mm / Hub 15mm

    SMC CU Pneumatikzylinder doppeltwirkend, Bohrung Ø 20mm / Hub 15mm, Ausführung: Zweifach, MPN: 00029306.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
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    • Microchip dsPIC33F Digitaler Signalprozessor 16bit 40MIPS 30 kB 256 KB Flash TQFP 100-Pin 2(24 x 10/12 Bit) ADC 2 0 2 0

    Microchip dsPIC33F Digitaler Signalprozessor 16bit 40MIPS 30 kB 256 KB Flash TQFP 100-Pin 2(24 x 10/12 Bit) ADC 2 0 2 0

    : 3 bis 3,6 V, A/D-Wandler Auflösung: 10 bit, 12bit, MPN: dsPIC33FJ256MC710A-I/PF.Microchip dsPIC33F Digitaler Signalprozessor 16bit 40MIPS 30 kB 256 KB Flash TQFP 100-Pin 2(24 x 10/12 Bit) ADC 2 0 2 0, Instruktionssatz-Architektur: RISC, Montage-Typ: SMD, Versorgungsspannnung typ.

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    • SMC Ventilverteiler, 2 x Einsteckmontage 6 mm, 3 x Einsteckmontage 6 mm, PBT

    SMC Ventilverteiler, 2 x Einsteckmontage 6 mm, 3 x Einsteckmontage 6 mm, PBT

    SMC Ventilverteiler, 2 x Einsteckmontage 6 mm, 3 x Einsteckmontage 6 mm, PBT, Serie: KM16, Betriebsdruck (max.): 1 MPa, 3 MPa (Prüfdruck), Betriebstemperatur (max.

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    • Vishay TrenchFET® Gen IV SiSS22LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 92,5 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

    Vishay TrenchFET® Gen IV SiSS22LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 92,5 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

    : 2.Vishay TrenchFET® Gen IV SiSS22LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 92,5 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S, Drain-Source-Widerstand max.5V.: 0,0051 Ω, 0,00365 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    • RS PRO, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 22μF ±20% / 25V dc, Ø 6mm x 13mm x 13mm, bis 105°C

    RS PRO, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 22μF ±20% / 25V dc, Ø 6mm x 13mm x 13mm, bis 105°C

    : +105°C, Lebensdauer: 1000h, Leckstrom: .RS PRO, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 22μF ±20% / 25V dc, Ø 6mm x 13mm x 13mm, bis 105°C, Kapazität: 22µF, Spannung: 25V dc, Montageart: Axial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 6 (Dia.: -40°C, Betriebstemperatur max.) x 13mm, Betriebstemperatur min.

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    • Vishay TrenchFET® Gen IV SiSS22LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 92,5 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

    Vishay TrenchFET® Gen IV SiSS22LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 92,5 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

    : 2.Vishay TrenchFET® Gen IV SiSS22LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 92,5 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S, Drain-Source-Widerstand max.5V.: 0,0051 Ω, 0,00365 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    • RS PRO, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 22μF ±20% / 25V dc, Ø 6mm x 13mm x 13mm, bis 105°C

    RS PRO, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 22μF ±20% / 25V dc, Ø 6mm x 13mm x 13mm, bis 105°C

    : -40°C, Betriebstemperatur max.RS PRO, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 22μF ±20% / 25V dc, Ø 6mm x 13mm x 13mm, bis 105°C, Kapazität: 22µF, Spannung: 25V dc, Montageart: Axial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 6 (Dia.

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