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DBK Enclosures Schaltschrank-Heizung, 200W, 10m³/h, 70°C, 230V Ac X 96.5mm, 71mm X 70mm

About The 5mm, 71mm x 70mm, Ausgangsleistung: 200 W, 300 W, 400W, Versorgungsspannung: 230V ac, MPN: FGC3000.DBK Enclosures Schaltschrank-Heizung, 200W, 10m³/h, 70°C, 230V ac x 96

DBK Enclosures Schaltschrank-Heizung, 200W, 10m³/h, 70°C, 230V ac x 96.5mm, 71mm x 70mm, Ausgangsleistung: 200 W, 300 W, 400W, Versorgungsspannung: 230V ac, MPN: FGC3000

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Specifications of DBK Enclosures Schaltschrank-Heizung, 200W, 10m³/h, 70°C, 230V Ac X 96.5mm, 71mm X 70mm

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ABB Ekip G Hi-Touch LSIG Emax2 Lastkreisüberwachung 3, 1kA

ABB Ekip G Hi-Touch LSIG Emax2 Lastkreisüberwachung 3, 1kA

ABB Ekip G Hi-Touch LSIG Emax2 Lastkreisüberwachung 3, 1kA, MPN: ABB1SDA070940R1.

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    ABB Ekip Hi-Touch LSI Emax2 Lastkreisüberwachung 3, 1kA

    ABB Ekip Hi-Touch LSI Emax2 Lastkreisüberwachung 3, 1kA, MPN: ABB1SDA070949R1.

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    ABB 1SDA07 Emax2 Lastkreisüberwachung 3, 1.

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    • Renesas Electronics Taktpuffer 5 /Chip 50 mA 200MHz SMD TSSOP, VFQFPN, 16-Pin

    Renesas Electronics Taktpuffer 5 /Chip 50 mA 200MHz SMD TSSOP, VFQFPN, 16-Pin

    Renesas Electronics Taktpuffer 5 /Chip 50 mA 200MHz SMD TSSOP, VFQFPN, 16-Pin, MPN: 5V2305PGGI.

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  • Taktpuffer
  • Renesas Electronics
    • Taiwan Semiconductor TVS-Diode Uni-Directional 64.5V 44.4V min., 2-Pin, SMD DO-218AB

    Taiwan Semiconductor TVS-Diode Uni-Directional 64.5V 44.4V min., 2-Pin, SMD DO-218AB

    , 2-Pin, SMD DO-218AB, Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 4600W, Anzahl der Elemente pro Chip: 3, MPN: TLD6S40AH.Taiwan Semiconductor TVS-Diode Uni-Directional 64.

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    • Renesas Electronics 256kbit SRAM-Speicher

    Renesas Electronics 256kbit SRAM-Speicher

    : 25ns, MPN: 71256SA25TPG.Renesas Electronics 256kbit SRAM-Speicher, Organisation: 32 K x 8, Zugriffszeit max.

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    5mm, 71mm x 70mm, Ausgangsleistung: 200 W, 300 W, 400W, Versorgungsspannung: 230V ac, MPN: FGC3000.DBK Enclosures Schaltschrank-Heizung, 200W, 10m³/h, 70°C, 230V ac x 96.

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