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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor TSM025 TSM070NB04CR MOSFET 40 V / 75 A, 8-Pin PDFN56

About The : 7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Taiwan Semiconductor TSM025 TSM070NB04CR MOSFET 40 V / 75 A, 8-Pin PDFN56, Drain-Source-Widerstand max

Taiwan Semiconductor TSM025 TSM070NB04CR MOSFET 40 V / 75 A, 8-Pin PDFN56, Drain-Source-Widerstand max.: 7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon

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Taiwan Semiconductor TSM025 TSM070NB04CR MOSFET 40 V / 75 A, 8-Pin PDFN56

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Specifications of Taiwan Semiconductor TSM025 TSM070NB04CR MOSFET 40 V / 75 A, 8-Pin PDFN56

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Taiwan Semiconductor TSM025 TSM070NB04CR MOSFET 40 V / 75 A, 8-Pin PDFN56
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Halbleiter
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Rating :- 9.59 /10
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STMicroelectronics STripFET STP16NF06L N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 16 A 45 W, 3-Pin TO-220
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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  • STMicroelectronics
    • SKF Einreihiges Rillenkugellager Kugellager 1-reihig, Innen-Ø 70mm / Außen-Ø 125mm, Breite 24mm Offene Bauweise

    SKF Einreihiges Rillenkugellager Kugellager 1-reihig, Innen-Ø 70mm / Außen-Ø 125mm, Breite 24mm Offene Bauweise

    SKF Einreihiges Rillenkugellager Kugellager 1-reihig, Innen-Ø 70mm / Außen-Ø 125mm, Breite 24mm Offene Bauweise, Lagerspiel: CN, Material: Stahl, Käfigmaterial: Stahlblech, Statische Traglast: 65.5kN, Dynamische Traglast: 66kN, Bohrung Typ: Parallel, Lager-Serie: 1 Extra leichtes Drucklager, MPN: 214.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Lager und Dichtungen
  • Drehlager- und Gehäuseeinheiten
  • Kugellager
  • SKF
    • TRACOPOWER TRN 1SM DC/DC-Wandler 1W 48 V dc IN, 5V dc OUT / 200mA 1.6kV dc isoliert

    TRACOPOWER TRN 1SM DC/DC-Wandler 1W 48 V dc IN, 5V dc OUT / 200mA 1.6kV dc isoliert

    3mm, Lastausregelung: 0.TRACOPOWER TRN 1SM DC/DC-Wandler 1W 48 V dc IN, 5V dc OUT / 200mA 1.6kV dc, Tiefe: 7.

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    • Taiwan Semiconductor TSM025 TSM110NB04CR MOSFET 40 V / 54 A, 8-Pin PDFN56

    Taiwan Semiconductor TSM025 TSM110NB04CR MOSFET 40 V / 54 A, 8-Pin PDFN56

    Taiwan Semiconductor TSM025 TSM110NB04CR MOSFET 40 V / 54 A, 8-Pin PDFN56, Drain-Source-Widerstand max.: 11 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon.

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  • MOSFET
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    • Amphenol Socapex MHDAS Leiterplattenbuchse Gerade 16-polig / 2-reihig, Raster 1.27mm

    Amphenol Socapex MHDAS Leiterplattenbuchse Gerade 16-polig / 2-reihig, Raster 1.27mm

    Amphenol Socapex MHDAS Leiterplattenbuchse Gerade 16-polig / 2-reihig, Raster 1.

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    • RS PRO Trittstufe 2 Stufen H.= 0.4m L.= 0.4m Stahl Schwarz 5kg
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    • Taiwan Semiconductor TSM025 TSM070NB04CR MOSFET 40 V / 75 A, 8-Pin PDFN56

    Taiwan Semiconductor TSM025 TSM070NB04CR MOSFET 40 V / 75 A, 8-Pin PDFN56

    : 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon.: 7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    • Taiwan Semiconductor TSM025 TSM055N03PQ56 MOSFET 30 V / 80 A, 8-Pin PDFN56

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    Taiwan Semiconductor TSM025 TSM055N03PQ56 MOSFET 30 V / 80 A, 8-Pin PDFN56, Drain-Source-Widerstand max.: 8,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    • Taiwan Semiconductor TSM025 TSM070NB04CR MOSFET 40 V / 75 A, 8-Pin PDFN56

    Taiwan Semiconductor TSM025 TSM070NB04CR MOSFET 40 V / 75 A, 8-Pin PDFN56

    : 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon.: 7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    • Taiwan Semiconductor TSM025 TSM055N03PQ56 MOSFET 30 V / 80 A, 8-Pin PDFN56
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