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Infineon HEXFET IRFB3806PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 71 W, 3-Pin TO-220AB

About The : -20 V, +20 V, Länge: 10.: 16 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon HEXFET IRFB3806PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 71 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 16 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.66mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Infineon HEXFET IRFB3806PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 71 W, 3-Pin TO-220AB

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Specifications of Infineon HEXFET IRFB3806PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 71 W, 3-Pin TO-220AB

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Infineon HEXFET IRFB3806PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 71 W, 3-Pin TO-220AB
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