Vishay TrenchFET® Gen IV Si4425FDY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 18,3 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,016 Ω, 0,0095 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V
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Vishay TrenchFET® Gen IV Si4425FDY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 18,3 A, 8-Pin SO-8
Specifications of Vishay TrenchFET® Gen IV Si4425FDY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 18,3 A, 8-Pin SO-8 | |
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