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Ledil Lisa LED Reflektor, Ø 9.9mm X 6.5mm, Für LEDs Der Serie Cree XB-D, XP-E

About The 9 (Dia.9mm x 6

Ledil Lisa LED Reflektor, Ø 9.9mm x 6.5mm, für LEDs der Serie Cree XB-D, XP-E, Produkt Typ: LED-Reflektor, Zur Verwendung mit: Cree XB-D, Cree XP-E, Cree XP-G, Lumileds LUXEON A, Lumileds LUXEON Rebel, Lumileds LUXEON Rebel ES, Lumileds LUXEON T, Lumileds LUXEON Z, Nichia NCSxx19A, Nichia NVSxx19A, OSRAM OSLON Square EC, OSRAM OSLON SSL 150, OSRAM OSLON SSL 80, Seoul Z5, Abmessungen: 9.9 (Dia.) x 6.5mm, Abstrahlwinkel: 76 → 86°, MPN: C12469_LISA2-R-PIN

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Specifications of Ledil Lisa LED Reflektor, Ø 9.9mm X 6.5mm, Für LEDs Der Serie Cree XB-D, XP-E

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Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 9.1kΩ ±1% / 0.1W ±100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse
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    • RS PRO Gummi Antriebsriemen, XPA-Profil 13mm x 9mm x 1700mm, Scheiben-Ø 63mm

    RS PRO Gummi Antriebsriemen, XPA-Profil 13mm x 9mm x 1700mm, Scheiben-Ø 63mm

    RS PRO Gummi Antriebsriemen, XPA-Profil 13mm x 9mm x 1700mm, Scheiben-Ø 63mm, Betriebstemperatur (min.

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    • Panasonic ERA,, AEC-Q200 Metallschicht SMD-Widerstand 40.2kΩ ±0.1% / 0.125W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    Panasonic ERA,, AEC-Q200 Metallschicht SMD-Widerstand 40.2kΩ ±0.1% / 0.125W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    : +155°C, MPN: ERA6AEB4022V.125W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.1% / 0.

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    • ROHM SCT SCT3080KW7TL N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 30 A, 7-Pin TO-263-7

    ROHM SCT SCT3080KW7TL N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 30 A, 7-Pin TO-263-7

    6V, Transistor-Werkstoff: SiC.ROHM SCT SCT3080KW7TL N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 30 A, 7-Pin TO-263-7, Drain-Source-Widerstand max.

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    Ledil Lisa LED Reflektor, Ø 9.9mm x 6.5mm, für LEDs der Serie Cree XB-D, XP-E

    9 (Dia.5mm, Abstrahlwinkel: 76 → 86°, MPN: C12469_LISA2-R-PIN.

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    • ROHM SCT SCT3080AW7TL N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 29 A, 7-Pin TO-263-7

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    : 5.ROHM SCT SCT3080AW7TL N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 29 A, 7-Pin TO-263-7, Drain-Source-Widerstand max.6V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: SiC.: 80 mO, Gate-Schwellenspannung max.

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    ROHM SCT SCT3080AW7TL N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 29 A, 7-Pin TO-263-7, Drain-Source-Widerstand max.6V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: SiC.: 80 mO, Gate-Schwellenspannung max.

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