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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Vishay SI2374DS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5,9 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

About The : ±8 V, Höhe: 1.: 41 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay SI2374DS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5,9 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23, Gehäusegröße: SOT-363, Drain-Source-Widerstand max.: 41 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±8 V, Höhe: 1.02mm

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Vishay SI2374DS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5,9 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

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Specifications of Vishay SI2374DS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5,9 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

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Vishay SI2374DS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5,9 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23
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INA Laufrolle, Wellen-Ø 35mm, 12.5N

INA Laufrolle, Wellen-Ø 35mm, 12.5N

INA Laufrolle, Wellen-Ø 35mm, 12.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
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  • Drehlager- und Gehäuseeinheiten
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  • INA
    • Amphenol connector,metal circ,box recept,size 16,1 #4 solder socket contact,clear finish

    Amphenol connector,metal circ,box recept,size 16,1 #4 solder socket contact,clear finish

    Amphenol connector,metal circ,box recept,size 16,1 #4 solder socket contact,clear finish, MPN: 97-3102A-16-12S (639).

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  • Steckverbinder
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  • Industrie,Automation Steckverbinder
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    • TE Connectivity 3520 Dickschicht SMD-Widerstand 1.2Ω ±5% / 1W ±350ppm/°C, 2512 (6432M) Gehäuse

    TE Connectivity 3520 Dickschicht SMD-Widerstand 1.2Ω ±5% / 1W ±350ppm/°C, 2512 (6432M) Gehäuse

    2Ω ±5% / 1W ±350ppm/°C, 2512 (6432M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.TE Connectivity 3520 Dickschicht SMD-Widerstand 1.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • TE Connectivity
    • Microchip SST25 Flash-Speicher 8MBit, 1 M x 8, SPI, 8ns, SOIJ-8, 8-Pin, 2,7 V bis 3,6 V
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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  • Speicherbausteine
  • Flash-Speicher
  • Microchip
    • Microchip SST26 Flash-Speicher 16MBit, 2M x 8 bit, SPI, 8ns, SOIJ-8, 8-Pin, 2,3 V bis 3,6 V

    Microchip SST26 Flash-Speicher 16MBit, 2M x 8 bit, SPI, 8ns, SOIJ-8, 8-Pin, 2,3 V bis 3,6 V

    Microchip SST26 Flash-Speicher 16MBit, 2M x 8 bit, SPI, 8ns, SOIJ-8, 8-Pin, 2,3 V bis 3,6 V, Zellen-Typ: NOR, MPN: SST26VF016BT-104I/SM.

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    • Saint-Gobain Industrial & Consumer Solutions Saint-Gobain Versilon™ GSR Schlauch, Ø 12mm 17mm Rot Naturkautschuk Übertragung, Vakuum 0,4 bar für Labor

    Saint-Gobain Industrial & Consumer Solutions Saint-Gobain Versilon™ GSR Schlauch, Ø 12mm 17mm Rot Naturkautschuk Übertragung, Vakuum 0,4 bar für Labor

    Saint-Gobain Industrial & Consumer Solutions Saint-Gobain Versilon™ GSR Schlauch, Ø 12mm 17mm Rot Naturkautschuk Übertragung, Vakuum 0,4 bar für Labor x 25m, Schlauchrohr/flexibler Schlauch: Flexibles Rohr, Erfüllte Normen: FDA, Minimale Betriebstemperatur: -40°C, Maximale Betriebstemperatur: +70°C, Biegeradius: 63mm, Verstärkt: Nein, MPN: 710127.

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    • Vishay SI2374DS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5,9 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

    Vishay SI2374DS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5,9 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

    : 41 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    • Tufnol ® SRBF Kunststoffplatte, Beige, 20mm x 285mm x 590mm / 1.36g/cm³ bis +120°C, Voll

    Tufnol ® SRBF Kunststoffplatte, Beige, 20mm x 285mm x 590mm / 1.36g/cm³ bis +120°C, Voll

    36g/cm³ bis +120°C, Voll, Laminiert: Ja, Wärmeleitfähigkeit: 0.

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  • Tufnol
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    Vishay SI2374DS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5,9 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

    4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.02mm.

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    • Tufnol ® SRBF Kunststoffplatte, Beige, 20mm x 285mm x 590mm / 1.36g/cm³ bis +120°C, Voll

    Tufnol ® SRBF Kunststoffplatte, Beige, 20mm x 285mm x 590mm / 1.36g/cm³ bis +120°C, Voll

    Tufnol ® SRBF Kunststoffplatte, Beige, 20mm x 285mm x 590mm / 1.36g/cm³ bis +120°C, Voll, Laminiert: Ja, Wärmeleitfähigkeit: 0.

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