Vishay EF SIHP186N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A, 18 A., 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 0,193 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V
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Vishay EF SIHP186N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A, 18 A., 3-Pin TO-220AB
Specifications of Vishay EF SIHP186N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A, 18 A., 3-Pin TO-220AB | |
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