Vishay EF SIHP125N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 16 A, 25 A., 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 0,125 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay EF SIHP125N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 16 A, 25 A., 3-Pin TO-220AB
Specifications of Vishay EF SIHP125N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 16 A, 25 A., 3-Pin TO-220AB | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |