Vishay SISS30LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 55,5 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S, Drain-Source-Widerstand max.: 12 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 3.3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Vishay SISS30LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 55,5 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S
Specifications of Vishay SISS30LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 55,5 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S | |
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