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Onsemi UltraFET RFD12N06RLESM9A N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 18 A 49 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The onsemi UltraFET RFD12N06RLESM9A N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 18 A 49 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

onsemi UltraFET RFD12N06RLESM9A N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 18 A 49 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 75 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Onsemi UltraFET RFD12N06RLESM9A N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 18 A 49 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Onsemi UltraFET RFD12N06RLESM9A N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 18 A 49 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Onsemi UltraFET RFD12N06RLESM9A N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 18 A 49 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Hongfa Europe GMBH HF115F-L Bistabiles Relais, Printrelais 1-poliger Schließer 20A 24V dc Spule / 400mW

Hongfa Europe GMBH HF115F-L Bistabiles Relais, Printrelais 1-poliger Schließer 20A 24V dc Spule / 400mW

: 20 A, Länge: 29mm, Spulenwiderstand: 1440Ω, Kontaktmaterial: Silberlegierung, MPN: HF115F-L/24-H3L1TF(610).

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    • Walsin Technology Corporation, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 40nF ±10% / 50V dc, Gehäuse 0402 (1005M)
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    • onsemi SMD Diode, 400V / 1A, 2-Pin DO-214AC (SMA)

    onsemi SMD Diode, 400V / 1A, 2-Pin DO-214AC (SMA)

    3V, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 150ns, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 30A, MPN: RS1G.onsemi SMD Diode, 400V / 1A, 2-Pin DO-214AC (SMA), Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Universal, Diode Typ: Rectifier, Maximaler Spannungsabfall: 1.

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    • Castle, Gehäuse Tragetasche für NK 006, NK 021

    Castle, Gehäuse Tragetasche für NK 006, NK 021

    Castle, Gehäuse Tragetasche für NK 006, NK 021, MPN: 01KA010.

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    • Panasonic ERJ Dickschicht SMD-Widerstand 120Ω ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    Panasonic ERJ Dickschicht SMD-Widerstand 120Ω ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.

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    • Castle, ABS-Koffer, Blau, 32 x 62 x 137mm

    Castle, ABS-Koffer, Blau, 32 x 62 x 137mm

    Castle, ABS-Koffer, Blau, 32 x 62 x 137mm, Länge (Außen): 32 mm, Breite (Außen): 62 mm, Höhe (Außen): 137 mm, MPN: 01dB001B.

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    onsemi UltraFET RFD12N06RLESM9A N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 18 A 49 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    : +175 °C.: 75 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.

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    Molex 73404 Stecker Koaxialsteckverbinder SMB-Steckverbinder, PCB, Kabel, für RG316-Kabel, 50Ω, Gerade

    Molex 73404 Stecker Koaxialsteckverbinder SMB-Steckverbinder, PCB, Kabel, für RG316-Kabel, 50Ω, Gerade, Polarität: Normal, MPN: 734040710.

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    Molex 73404 Stecker Koaxialsteckverbinder SMB-Steckverbinder, PCB, Kabel, für RG316-Kabel, 50Ω, Gerade

    Molex 73404 Stecker Koaxialsteckverbinder SMB-Steckverbinder, PCB, Kabel, für RG316-Kabel, 50Ω, Gerade, Polarität: Normal, MPN: 734040710.

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