IXYS HiperFET, Polar IXFR44N80P N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 25 A 300 W, 3-Pin ISOPLUS247, Drain-Source-Widerstand max.: 200 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.13mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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IXYS HiperFET, Polar IXFR44N80P N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 25 A 300 W, 3-Pin ISOPLUS247
Specifications of IXYS HiperFET, Polar IXFR44N80P N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 25 A 300 W, 3-Pin ISOPLUS247 | |
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