Infineon OptiMOS 3 IPB054N06N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 115 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 5,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 4.57mm, Länge: 10.31mm
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Infineon OptiMOS 3 IPB054N06N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 115 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Infineon OptiMOS 3 IPB054N06N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 115 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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