STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STQ1HNK60R-AP N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 400 mA 3 W, 3-Pin TO-92, Drain-Source-Widerstand max.: 8,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.25V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 4.95mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STQ1HNK60R-AP N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 400 MA 3 W, 3-Pin TO-92
Specifications of STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STQ1HNK60R-AP N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 400 MA 3 W, 3-Pin TO-92 | |
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