onsemi QFET FQP3P50 P-Kanal, THT MOSFET 500 V / 2,7 A 85 W, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 4,9 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 9.4mm, Länge: 10.1mm
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Onsemi QFET FQP3P50 P-Kanal, THT MOSFET 500 V / 2,7 A 85 W, 3-Pin TO-220AB
Specifications of Onsemi QFET FQP3P50 P-Kanal, THT MOSFET 500 V / 2,7 A 85 W, 3-Pin TO-220AB | |
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