Onsemi IGBT / 80 A ±20V Max., 600 V 115 W, 3-Pin TO-3PF N-Kanal
About The : +175 °C, Betriebstemperatur min.7mm, Betriebstemperatur max
onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 115 W, 3-Pin TO-3PF N-Kanal, Montage-Typ: THT, Schaltgeschwindigkeit: 1MHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 15.7 x 3.2 x 26.7mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, Betriebstemperatur min.: –55 °C, MPN: FGAF40N60SMD
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT
Onsemi IGBT / 80 A ±20V Max., 600 V 115 W, 3-Pin TO-3PF N-Kanal
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Specifications of Onsemi IGBT / 80 A ±20V Max., 600 V 115 W, 3-Pin TO-3PF N-Kanal | |
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