reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
onsemi

Onsemi NTUD3170NZG N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 280 MA 200 MW, 6-Pin SOT-963

About The : 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: 4,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

onsemi NTUD3170NZG N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 280 mA 200 mW, 6-Pin SOT-963, Drain-Source-Widerstand max.: 4,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 1.05mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: NTUD3170NZT5G

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi NTUD3170NZG N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 280 MA 200 MW, 6-Pin SOT-963

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Onsemi NTUD3170NZG N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 280 MA 200 MW, 6-Pin SOT-963

Category
Instockinstock

Last Updated

Onsemi NTUD3170NZG N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 280 MA 200 MW, 6-Pin SOT-963
More Varieties
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter

Rating :- 9.57 /10
Votes :- 5
Molex KK 508 Stiftleiste Gerade, 3-polig / 1-reihig, Raster 5.08mm, Platine-Platine, Kabel-Platine,
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Steckverbinder
  • Leiterplatten Steckverbinder & Gehäuse
  • Leiterplatten Header
  • Molex
    • Hammond Enclosure; Steel; 6 in.; 4 in.; 3 in.

    Hammond Enclosure; Steel; 6 in.; 4 in.; 3 in.

    ; 4 in., MPN: 1414PHC.; 3 in.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Gehäuse und Server-Racks
  • Gehäuse
  • Verteilerdosen
  • Hammond
    • Infineon IAUT IAUZ40N10S5N130ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 x 3

    Infineon IAUT IAUZ40N10S5N130ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 x 3

    Infineon IAUT IAUZ40N10S5N130ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 x 3.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon
    • Infineon IAUT IAUT300N08S5N012ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 300 A, 8-Pin HSOF-8

    Infineon IAUT IAUT300N08S5N012ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 300 A, 8-Pin HSOF-8

    8V, Transistor-Werkstoff: Silicon.Infineon IAUT IAUT300N08S5N012ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 300 A, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.: 3.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon
    • EMERSON – AVENTICS V581 Pneumatik-Steuerventil, Elektrisch-betätigt

    EMERSON – AVENTICS V581 Pneumatik-Steuerventil, Elektrisch-betätigt

    EMERSON – AVENTICS V581 Pneumatik-Steuerventil, Elektrisch-betätigt, MPN: 5812280000.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Pneumatik und Hydraulik
  • Pneumatikventile
  • Pneumatik-Regelventile-Magnet,vorgesteuert
  • EMERSON – AVENTICS
    • Hammond Enclosure; Steel; 8 in.; 6 in.; 3.5 in.; UL Listed, CSA Certified, JIC, IEC
  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Gehäuse und Server-Racks
  • Gehäuse
  • Verteilerdosen
  • Hammond
    • onsemi NTUD3170NZG N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 280 mA 200 mW, 6-Pin SOT-963

    onsemi NTUD3170NZG N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 280 mA 200 mW, 6-Pin SOT-963

    : 4,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: +150 °C, MPN: NTUD3170NZT5G.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • onsemi
    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 4.7Ω ±5% / 0.1W ±200ppm/K, 0603 (1608M) Gehäuse
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • Vishay
    • onsemi NTUD3170NZG N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 280 mA 200 mW, 6-Pin SOT-963

    onsemi NTUD3170NZG N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 280 mA 200 mW, 6-Pin SOT-963

    05mm, Betriebstemperatur max.: 4,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 1.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • onsemi
    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 4.7Ω ±5% / 0.1W ±200ppm/K, 0603 (1608M) Gehäuse

    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 4.7Ω ±5% / 0.1W ±200ppm/K, 0603 (1608M) Gehäuse

    1W ±200ppm/K, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • Vishay