reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Infineon

Infineon 700V CoolMOS P7 IPD70R900P7SAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The 5V.: 3

Infineon 700V CoolMOS P7 IPD70R900P7SAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,9 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon 700V CoolMOS P7 IPD70R900P7SAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon 700V CoolMOS P7 IPD70R900P7SAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon 700V CoolMOS P7 IPD70R900P7SAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
More Varieties
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter

Rating :- 9.45 /10
Votes :- 9
Infineon HEXFET IRF2907ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 170 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Infineon HEXFET IRF2907ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 170 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Infineon HEXFET IRF2907ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 170 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon
    • Murata Keramikresonator 4MHz ±0.5% Shear 60Ω 39pF 3-Pin 4.5 x 2 x 1.15mm Oberflächenmontage ±0.2%

    Murata Keramikresonator 4MHz ±0.5% Shear 60Ω 39pF 3-Pin 4.5 x 2 x 1.15mm Oberflächenmontage ±0.2%

    15mm Oberflächenmontage ±0.5 x 2 x 1.5mm, Betriebstemperatur max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Quarze & Oszillatoren und Resonatoren
  • Keramik-Resonatoren
  • Murata
    • STMicroelectronics IGBT ±30V max., 650 V 167 W, 3-Pin To-247 lange Leitungen N-Kanal

    STMicroelectronics IGBT ±30V max., 650 V 167 W, 3-Pin To-247 lange Leitungen N-Kanal

    , 650 V 167 W, 3-Pin To-247 lange Leitungen N-Kanal, Transistor-Konfiguration: Serie, MPN: STGWA30HP65FB2.STMicroelectronics IGBT ±30V max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • IGBT
  • STMicroelectronics
    • STMicroelectronics STSPIN32F0601 Evaluierungsplatine, EVSPIN32F0601S1

    STMicroelectronics STSPIN32F0601 Evaluierungsplatine, EVSPIN32F0601S1

    STMicroelectronics STSPIN32F0601 Evaluierungsplatine, Kit-Klassifizierung: Entwicklungsplatine, Kit-Name: EVSPIN32F0601S1.

  • STMicroelectronics
    • Rubycon YXF, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 4.7μF ±20% / 50V dc, Ø 5mm x 11mm, bis 105°C

    Rubycon YXF, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 4.7μF ±20% / 50V dc, Ø 5mm x 11mm, bis 105°C

    : +105°C, Anschlussraster: 2mm, Lebensdauer: 5000h, Leckstrom: 3 μA, Brummstrom: 68mA, MPN: 50YXF4.7µF, Spannung: 50V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 5 (Dia.7M5X11.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Kondensatoren
  • Aluminium Elektrolytkondensatoren
  • Rubycon
    • Infineon OptiMOS 3 IPP200N15N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 50 A, 3-Pin TO-220

    Infineon OptiMOS 3 IPP200N15N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 50 A, 3-Pin TO-220

    Infineon OptiMOS 3 IPP200N15N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 50 A, 3-Pin TO-220.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon
    • Amphenol Socapex, 2M801 MIL-Rundsteckverbinder, Buchse, 37-polig, 500 V, Kontermutter, Gehäuse 13

    Amphenol Socapex, 2M801 MIL-Rundsteckverbinder, Buchse, 37-polig, 500 V, Kontermutter, Gehäuse 13

    Amphenol Socapex, 2M801 MIL-Rundsteckverbinder, Buchse, 37-polig, 500 V, Kontermutter, Gehäuse 13, Nennstrom: 5A, Verbindungstyp: Gewinde, Gehäuseausrichtung: Gerade, MPN: 2M80100907ZNU1337AA.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Steckverbinder
  • Rundsteckverbinder
  • MIL-Spec Rundsteckverbinder
  • Amphenol Socapex
    • Infineon 700V CoolMOS P7 IPD70R900P7SAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon
    • Amphenol Socapex, 2M801 MIL-Rundsteckverbinder, Buchse, 37-polig, 500 V, Kontermutter, Gehäuse 13

    Amphenol Socapex, 2M801 MIL-Rundsteckverbinder, Buchse, 37-polig, 500 V, Kontermutter, Gehäuse 13

    Amphenol Socapex, 2M801 MIL-Rundsteckverbinder, Buchse, 37-polig, 500 V, Kontermutter, Gehäuse 13, Nennstrom: 5A, Verbindungstyp: Gewinde, Gehäuseausrichtung: Gerade, MPN: 2M80100907ZNU1337AA.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Steckverbinder
  • Rundsteckverbinder
  • MIL-Spec Rundsteckverbinder
  • Amphenol Socapex
    • Infineon 700V CoolMOS P7 IPD70R900P7SAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Infineon 700V CoolMOS P7 IPD70R900P7SAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

    5V.Infineon 700V CoolMOS P7 IPD70R900P7SAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 3.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon