Vishay TrenchFET SI4896DY-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 9,5 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,022 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V
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Vishay TrenchFET SI4896DY-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 9,5 A, 8-Pin SO-8
Specifications of Vishay TrenchFET SI4896DY-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 9,5 A, 8-Pin SO-8 | |
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