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STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 60 A, 7-Pin H2PAK-7

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STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 60 A, 7-Pin H2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 0,052 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: SCTH60N120G2-7

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    Wurth Elektronik WR-TBL Selbstklebende Markierungskarte für Anschlussklemmenblöcke, MPN: 691900410202.

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    : 0,052 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 60 A, 7-Pin H2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 5V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: SCTH60N120G2-7.

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    STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 60 A, 7-Pin H2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 5V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: SCTH60N120G2-7.

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