Infineon 800V CoolMOS P7 IPN80R1K4P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4 A, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 1,4 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V
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Infineon 800V CoolMOS P7 IPN80R1K4P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4 A, 3-Pin SOT-223
Specifications of Infineon 800V CoolMOS P7 IPN80R1K4P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4 A, 3-Pin SOT-223 | |
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