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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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TE Connectivity

TE Connectivity Barrier Strip, Double-Row; 12 To 22 AWG; #6-32; 0.374; 20 A; 2 Pos.

About The TE Connectivity Barrier Strip, Double-Row; 12 to 22 AWG; #6-32; 0.

TE Connectivity Barrier Strip, Double-Row; 12 to 22 AWG; #6-32; 0.374; 20 A; 2 Pos., MPN: 1546306-2

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TE Connectivity Barrier Strip, Double-Row; 12 To 22 AWG; #6-32; 0.374; 20 A; 2 Pos.

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Specifications of TE Connectivity Barrier Strip, Double-Row; 12 To 22 AWG; #6-32; 0.374; 20 A; 2 Pos.

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Vishay PR03 Metallschicht Widerstand 4.7Ω ±5% / 3W

Vishay PR03 Metallschicht Widerstand 4.7Ω ±5% / 3W

: -55°C, MPN: PR03000204708JAC00.

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    • Vishay MMB0207 Dünnschicht SMD-Widerstand 180kΩ ±1% / 0.4W ±50ppm/°C, Melf 0207 Gehäuse
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    • JKL Components LED Signalleuchte Weiß, 12V dc, Ø 6.2mm x 16mm, Midget-Sockel

    JKL Components LED Signalleuchte Weiß, 12V dc, Ø 6.2mm x 16mm, Midget-Sockel

    2mm x 16mm, Midget-Sockel, Nennspannung: 12 V dc, Lampensockel: Midget-Grooved, Lampengröße: T-1 3/4, Länge: 16 mm, Betrachtungswinkel: 40°, Stromstärke: 12 mA, MPN: LE-MG-12W.JKL Components LED Signalleuchte Weiß, 12V dc, Ø 6.

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    • JKL Components LED Signalleuchte Weiß, 12V dc, Ø 6mm x 16mm, Midget-Flanged Sockel

    JKL Components LED Signalleuchte Weiß, 12V dc, Ø 6mm x 16mm, Midget-Flanged Sockel

    JKL Components LED Signalleuchte Weiß, 12V dc, Ø 6mm x 16mm, Midget-Flanged Sockel, Nennspannung: 12V dc, Lampensockel: Zwergflansch, Betrachtungswinkel: 40 °C, Nennstrom: 15mA, MPN: LE-MF-12W.

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    • ROHM Abwärtswandler 1.5A 42 V Abwärtswandler 0,8 V 4,5 V 8-Pin

    ROHM Abwärtswandler 1.5A 42 V Abwärtswandler 0,8 V 4,5 V 8-Pin

    ROHM Abwärtswandler 1.5A 42 V Abwärtswandler 0,8 V 4,5 V 8-Pin, Gehäusegröße: HTSOP-J8ES, MPN: BD9G201UEFJ-ME2.

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  • ROHM
    • Murata LQG15HS Drosselspule, 150 nH 140mA, 0402 Gehäuse 1mm / ±5%, 550MHz

    Murata LQG15HS Drosselspule, 150 nH 140mA, 0402 Gehäuse 1mm / ±5%, 550MHz

    : +125°C, Betriebstemperatur min.Murata LQG15HS Drosselspule, 150 nH 140mA, 0402 Gehäuse 1mm / ±5%, 550MHz, Tiefe: 0.

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  • Induktivitäten
  • SMD-Induktivität
  • Murata
    • ROHM R6055VNZC17 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 23 A, 3-Pin TO-3PF

    ROHM R6055VNZC17 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 23 A, 3-Pin TO-3PF

    ROHM R6055VNZC17 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 23 A, 3-Pin TO-3PF, Channel-Modus: Enhancement.

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    ROHM R6055VNZC17 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 23 A, 3-Pin TO-3PF

    ROHM R6055VNZC17 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 23 A, 3-Pin TO-3PF, Channel-Modus: Enhancement.

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