onsemi NTJD1155LG N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 8 V / 1,3 A 400 mW, 6-Pin SOT-363, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 320 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: N+P-Loadswitch, Gate-Source Spannung max.: +8 V, Länge: 2.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: NTJD1155LT1G
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi NTJD1155LG N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 8 V / 1,3 A 400 MW, 6-Pin SOT-363
Specifications of Onsemi NTJD1155LG N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 8 V / 1,3 A 400 MW, 6-Pin SOT-363 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |