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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Infineon SIPMOS BSP125H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

About The : +150 °C.: 2

Infineon SIPMOS BSP125H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 45 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Infineon SIPMOS BSP125H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

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Specifications of Infineon SIPMOS BSP125H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

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RS PRO EC G1/2 Filterregler-Öler, Auto 25μ

RS PRO EC G1/2 Filterregler-Öler, Auto 25μ

RS PRO EC G1/2 Filterregler-Öler, Auto 25μ, Filtergröße: 25µ.

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    • Selco Thermostat; Disc; 120/240 VAC; 25 A; SPST/SPDT; 1500 VAC per 1 Minute; 40 degC

    Selco Thermostat; Disc; 120/240 VAC; 25 A; SPST/SPDT; 1500 VAC per 1 Minute; 40 degC

    Selco Thermostat; Disc; 120/240 VAC; 25 A; SPST/SPDT; 1500 VAC per 1 Minute; 40 degC, MPN: SE-L230.

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    • RS PRO EA4000, 5μ Filterregler automatisch, Anschluss G1/2 bis 10 bar

    RS PRO EA4000, 5μ Filterregler automatisch, Anschluss G1/2 bis 10 bar

    RS PRO EA4000, 5μ Filterregler automatisch, Anschluss G1/2 bis 10 bar, Ablass-Typ: Halbautomatik, Filtergröße: 5µ.

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    • SAM 371075 Zangensatz Gebogen, Flach 1 Stk.

    SAM 371075 Zangensatz Gebogen, Flach 1 Stk.

    Zangensatz.Zangensatz SAM 371075 Zangensatz Gebogen, Flach 1 Stk.

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    • Infineon Mikrocontroller CY8C29 32bit SMD 32 KB SSOP 28-Pin 24MHz 2 KB RAM USB

    Infineon Mikrocontroller CY8C29 32bit SMD 32 KB SSOP 28-Pin 24MHz 2 KB RAM USB

    Infineon Mikrocontroller CY8C29 32bit SMD 32 KB SSOP 28-Pin 24MHz 2 KB RAM USB, Programmspeicher-Größe: 32 KB, USB-Kanäle: 1, Versorgungsspannnung typ.: 3 5,25 V, A/D-Wandler Auflösung: 14bit, A/D-Wandler: 1 (1 x 14 Bit), MPN: CY8C29466-24PVXIT.

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    Infineon SIPMOS BSP125H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

    3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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    • Yageo Dickschicht SMD-Widerstand 330kΩ ±1% / 0.05W, 0201 (0603M) Gehäuse

    Yageo Dickschicht SMD-Widerstand 330kΩ ±1% / 0.05W, 0201 (0603M) Gehäuse

    05W, 0201 (0603M) Gehäuse, MPN: RC0201FR-07330KL.Yageo Dickschicht SMD-Widerstand 330kΩ ±1% / 0.

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    05W, 0201 (0603M) Gehäuse, MPN: RC0201FR-07330KL.Yageo Dickschicht SMD-Widerstand 330kΩ ±1% / 0.

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