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Infineon OptiMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 80 A, 3-Pin TO-220

About The Infineon OptiMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 80 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0057 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon OptiMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 80 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0057 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPP057N06N3GXKSA1

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Infineon OptiMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 80 A, 3-Pin TO-220

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Specifications of Infineon OptiMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 80 A, 3-Pin TO-220

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