Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 3,5 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRF9956TRPBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 3,5 A, 8-Pin SO-8
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 3,5 A, 8-Pin SO-8 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |