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Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 512k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V Bis 5,5 V, SOIC 32-Pin

About The 75 x 11.81mm, MPN: CY62148ELL-55SXIT

Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 512k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOIC 32-Pin, Organisation: 512 k x 8 Bit, Zugriffszeit max.: 45ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 20.75 x 11.43 x 2.81mm, MPN: CY62148ELL-55SXIT

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Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 512k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V Bis 5,5 V, SOIC 32-Pin

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Specifications of Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 512k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V Bis 5,5 V, SOIC 32-Pin

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