Infineon SIPMOS BSS159NH6327XTSA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 230 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 8 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 3.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon SIPMOS BSS159NH6327XTSA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 230 MA 360 MW, 3-Pin SOT-23
Specifications of Infineon SIPMOS BSS159NH6327XTSA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 230 MA 360 MW, 3-Pin SOT-23 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |