onsemi SUPERFET III NTD600N80S3Z N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,6 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1
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Onsemi SUPERFET III NTD600N80S3Z N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Onsemi SUPERFET III NTD600N80S3Z N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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