Infineon OptiMOS™-T IPD35N10S3L26ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,026 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Transistor-Werkstoff: Si
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Infineon OptiMOS™-T IPD35N10S3L26ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon OptiMOS™-T IPD35N10S3L26ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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