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Toshiba TK TK16J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 130 W, 3-Pin TO-3PN

About The .: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Toshiba TK TK16J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 130 W, 3-Pin TO-3PN, Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Toshiba TK TK16J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 130 W, 3-Pin TO-3PN

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Specifications of Toshiba TK TK16J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 130 W, 3-Pin TO-3PN

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