Infineon IPG20 IPG20N04S408AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 Dual
About The Infineon IPG20 IPG20N04S408AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0076 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon IPG20 IPG20N04S408AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0076 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon IPG20 IPG20N04S408AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 Dual
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Specifications of Infineon IPG20 IPG20N04S408AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 Dual | |
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