Infineon OptiMOS™-T2 IPD90N10S4L06ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 90 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

Name: Infineon & Infineon OptiMOS™-T2 IPD90N10S4L06ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 90 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand Max.: 0,0066 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Max.: 2.1V, Transistor-Werkstoff: Si
Brand: Infineon
SKU: CAWX-634592
Price: 24.53 EUR
Availability: InStock

About The 1V, Transistor-Werkstoff: Si.Infineon OptiMOS™-T2 IPD90N10S4L06ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 90 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max

Infineon OptiMOS™-T2 IPD90N10S4L06ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 90 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0066 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.1V, Transistor-Werkstoff: Si

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Last Updated January 6th, 2024 03:11 am

Infineon OptiMOS™-T2 IPD90N10S4L06ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 90 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 6.2kΩ ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

: -55°C, Betriebstemperatur max.RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 6.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

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RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 6.2kΩ ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

2kΩ ±1% / 0.: -55°C, Betriebstemperatur max.RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 6.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

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