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Onsemi UniFET FDPF10N60NZ N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10 A 38 W, 3-Pin TO-220F

About The onsemi UniFET FDPF10N60NZ N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10 A 38 W, 3-Pin TO-220F, Drain-Source-Widerstand max.: 750 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min

onsemi UniFET FDPF10N60NZ N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10 A 38 W, 3-Pin TO-220F, Drain-Source-Widerstand max.: 750 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 10.36mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Onsemi UniFET FDPF10N60NZ N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10 A 38 W, 3-Pin TO-220F

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Specifications of Onsemi UniFET FDPF10N60NZ N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10 A 38 W, 3-Pin TO-220F

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