IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH50N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 50 A 1,04 kW, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 145 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.26mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH50N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 50 A 1,04 KW, 3-Pin TO-247
Specifications of IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH50N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 50 A 1,04 KW, 3-Pin TO-247 | |
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