ROHM RQ7E100AT RQ7E100ATTCR P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10 A 1,5 W, 8-Pin TSMT-8, Drain-Source-Widerstand max.: 14,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 3.1mm, Betriebstemperatur max.: 150 °C
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ROHM RQ7E100AT RQ7E100ATTCR P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10 A 1,5 W, 8-Pin TSMT-8
Specifications of ROHM RQ7E100AT RQ7E100ATTCR P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10 A 1,5 W, 8-Pin TSMT-8 | |
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