IXYS HiperFET, Polar3 IXFP22N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 22 A 500 W, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 360 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 16mm, Länge: 10.66mm
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IXYS HiperFET, Polar3 IXFP22N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 22 A 500 W, 3-Pin TO-220AB
Specifications of IXYS HiperFET, Polar3 IXFP22N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 22 A 500 W, 3-Pin TO-220AB | |
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