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Onsemi FDN357N N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,9 A 500 MW, 3-Pin SOT-23

About The onsemi FDN357N N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,9 A 500 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

onsemi FDN357N N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,9 A 500 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 600 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.92mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Onsemi FDN357N N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,9 A 500 MW, 3-Pin SOT-23

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Specifications of Onsemi FDN357N N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,9 A 500 MW, 3-Pin SOT-23

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