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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
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Texas Instruments

Texas Instruments NexFET CSD25310Q2 P-Kanal MOSFET 20 V / 20 A, 6-Pin WSON

About The 55V, Transistor-Werkstoff: Si.: 0

Texas Instruments NexFET CSD25310Q2 P-Kanal MOSFET 20 V / 20 A, 6-Pin WSON, Drain-Source-Widerstand max.: 2,39e+006 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.55V, Transistor-Werkstoff: Si

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Texas Instruments NexFET CSD25310Q2 P-Kanal MOSFET 20 V / 20 A, 6-Pin WSON

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Specifications of Texas Instruments NexFET CSD25310Q2 P-Kanal MOSFET 20 V / 20 A, 6-Pin WSON

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Texas Instruments NexFET CSD25310Q2 P-Kanal MOSFET 20 V / 20 A, 6-Pin WSON
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ROHM Spannungsprüfer, Durchgangsprüfer-test BD5226G-TR, Open-Drain-Spannungsdetektor SSOP 5-Pin
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    • Murata, GCM, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X8R, 100nF / 25V dc, Gehäuse 0603, AEC-Q200

    Murata, GCM, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X8R, 100nF / 25V dc, Gehäuse 0603, AEC-Q200

    Murata, GCM, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X8R, 100nF / 25V dc, Gehäuse 0603, AEC-Q200, Spannung: 25V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Anschlussklemmentyp: Standard, MPN: GCM188R91E104KA37D.

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  • Keramik Vielschichtkondensatoren
  • Murata
    • Broadcom 3-fach UV-LED 395nm / 1460mW, Gehäuse 3535 35°

    Broadcom 3-fach UV-LED 395nm / 1460mW, Gehäuse 3535 35°

    Broadcom 3-fach UV-LED 395nm / 1460mW, Gehäuse 3535 35°, Serie: AUV3, MPN: AUV3-ST32-0SV0K.

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    • Schurter FSF 5x20 Feinsicherung F / 630mA 5 x 20mm 250V ac Glas
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    • ams OSRAM OSRAM OSLON Pure 1010 SMD Hochleistungs-LED Grün 2,95 V 1010

    ams OSRAM OSRAM OSLON Pure 1010 SMD Hochleistungs-LED Grün 2,95 V 1010

    ams OSRAM OSRAM OSLON Pure 1010 SMD Hochleistungs-LED Grün 2,95 V 1010, MPN: Q65113A0464.

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    • Bridgetek MM900EVxB Development Module Modul Microcontroller Development Kit

    Bridgetek MM900EVxB Development Module Modul Microcontroller Development Kit

    Bridgetek MM900EVxB Development Module Modul Microcontroller Development Kit, Name der Prozessorfamilie: FT90x, MPN: MM900EV1B.

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    • Texas Instruments NexFET CSD25310Q2 P-Kanal MOSFET 20 V / 20 A, 6-Pin WSON

    Texas Instruments NexFET CSD25310Q2 P-Kanal MOSFET 20 V / 20 A, 6-Pin WSON

    : 2,39e+006 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.

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    • Texas Instruments Ethernet-Transceiver,, 1-Kanal 10-100Mbit/s Integrierte CDR (3,3 V ), JTAG 48-Pin, LQFP

    Texas Instruments Ethernet-Transceiver,, 1-Kanal 10-100Mbit/s Integrierte CDR (3,3 V ), JTAG 48-Pin, LQFP

    Texas Instruments Ethernet-Transceiver,, 1-Kanal 10-100Mbit/s Integrierte CDR (3,3 V ), JTAG 48-Pin, LQFP, Integrierte CDR: Ja, Stromversorgungs-Typ: Analog, Digital, MPN: DP83640TVV/NOPB.

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    55V, Transistor-Werkstoff: Si.Texas Instruments NexFET CSD25310Q2 P-Kanal MOSFET 20 V / 20 A, 6-Pin WSON, Drain-Source-Widerstand max.: 0.: 2,39e+006 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    Texas Instruments Ethernet-Transceiver,, 1-Kanal 10-100Mbit/s Integrierte CDR (3,3 V ), JTAG 48-Pin, LQFP, Integrierte CDR: Ja, Stromversorgungs-Typ: Analog, Digital, MPN: DP83640TVV/NOPB.

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