ROHM QH8K51 QH8K51TR N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 2 A 1,5 W, 8-Pin TSMT-8, Drain-Source-Widerstand max.: 355 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 3.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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ROHM QH8K51 QH8K51TR N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 2 A 1,5 W, 8-Pin TSMT-8
Specifications of ROHM QH8K51 QH8K51TR N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 2 A 1,5 W, 8-Pin TSMT-8 | |
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