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Vishay SI4900DY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4.3 A 2000 MW, 8-Pin SOIC

About The 3 A 2000 mW, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.Vishay SI4900DY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4

Vishay SI4900DY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4.3 A 2000 mW, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 58 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.55mm

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