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Infineon HEXFET IRFP260NPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 50 A 300 W, 3-Pin TO-247AC

About The : +175 °C.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Infineon HEXFET IRFP260NPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 50 A 300 W, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 15.9mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Infineon HEXFET IRFP260NPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 50 A 300 W, 3-Pin TO-247AC

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Specifications of Infineon HEXFET IRFP260NPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 50 A 300 W, 3-Pin TO-247AC

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Infineon HEXFET IRFP260NPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 50 A 300 W, 3-Pin TO-247AC
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