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STMicroelectronics SCT SCT10N120AG N-Kanal, THT SiC-Leistungsmodul 1200 V / 12 A, 3-Pin Hip247

About The STMicroelectronics SCT SCT10N120AG N-Kanal, THT SiC-Leistungsmodul 1200 V / 12 A, 3-Pin Hip247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,52 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max

STMicroelectronics SCT SCT10N120AG N-Kanal, THT SiC-Leistungsmodul 1200 V / 12 A, 3-Pin Hip247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,52 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 25V

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STMicroelectronics SCT SCT10N120AG N-Kanal, THT SiC-Leistungsmodul 1200 V / 12 A, 3-Pin Hip247

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Specifications of STMicroelectronics SCT SCT10N120AG N-Kanal, THT SiC-Leistungsmodul 1200 V / 12 A, 3-Pin Hip247

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