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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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STMicroelectronics STB37N60 STB37N60DM2AG N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 28 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 0,094 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.STMicroelectronics STB37N60 STB37N60DM2AG N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 28 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max

STMicroelectronics STB37N60 STB37N60DM2AG N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 28 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,094 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.9V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: SiC

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STMicroelectronics STB37N60 STB37N60DM2AG N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 28 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of STMicroelectronics STB37N60 STB37N60DM2AG N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 28 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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