Texas Instruments NexFET CSD19536KCS N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 259 A 375 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 3,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Texas Instruments NexFET CSD19536KCS N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 259 A 375 W, 3-Pin TO-220
Specifications of Texas Instruments NexFET CSD19536KCS N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 259 A 375 W, 3-Pin TO-220 | |
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