Infineon CoolMOS CE IPD50R650CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 9 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 0,65 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si
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Infineon CoolMOS CE IPD50R650CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 9 A, 3-Pin TO-252
Specifications of Infineon CoolMOS CE IPD50R650CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 9 A, 3-Pin TO-252 | |
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