Vishay IRF830ASPBF N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 5 A 3,1 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 1,4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 4.83mm, Länge: 10.67mm
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Vishay IRF830ASPBF N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 5 A 3,1 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Vishay IRF830ASPBF N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 5 A 3,1 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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